The Story
მწარმოებელი: Samsung მოდელი: MZ-V8V1T0BW
პროდუქტის აღწერა:
- ტიპი: SSD
- მყარი დისკის დიპი: Internal
- მყარი დისკის ტევადობა: 1000 GB
- მეხსიერების სახეობა: M.2
- რედაქცია: Notebook / Desktop
- HDD/SSD ინტერფეისი: PCIe 3.0
- NAND ტიპი: Samsung V-NAND 3bit MLC
- ქეშ-მეხსიერება: 512 MB
- კონტროლერი: Samsung Elpis
- წაკითხვის სიჩქარე: მდე>3,500 MB/s
- ჩაწერის სიჩქარე: მდე>3,000 MB/s
- Random Read (4KB): მდე>500,000 IOPS
- Random Write (4KB): მდე>480,000 IOPS
- შეუფერხებელი მუშაობა (MTBF): 1 500 000
- S.M.A.R.T
- AES კოდირება: 256-bit
- დარტყმა-მედეგი: 1500 G
ფიზიკური მახასიათებლები:
- ზომა: 80.15 x 22.15 x 2.38 მმ

Details & Craftsmanship
Every detail has been carefully considered to bring you the perfect product.

Details & Craftsmanship
Every detail has been carefully considered to bring you the perfect product.

Details & Craftsmanship
Every detail has been carefully considered to bring you the perfect product.

Details & Craftsmanship
Every detail has been carefully considered to bring you the perfect product.

Details & Craftsmanship
Every detail has been carefully considered to bring you the perfect product.
Description
მწარმოებელი: Samsung მოდელი: MZ-V8V1T0BW
პროდუქტის აღწერა:
- ტიპი: SSD
- მყარი დისკის დიპი: Internal
- მყარი დისკის ტევადობა: 1000 GB
- მეხსიერების სახეობა: M.2
- რედაქცია: Notebook / Desktop
- HDD/SSD ინტერფეისი: PCIe 3.0
- NAND ტიპი: Samsung V-NAND 3bit MLC
- ქეშ-მეხსიერება: 512 MB
- კონტროლერი: Samsung Elpis
- წაკითხვის სიჩქარე: მდე>3,500 MB/s
- ჩაწერის სიჩქარე: მდე>3,000 MB/s
- Random Read (4KB): მდე>500,000 IOPS
- Random Write (4KB): მდე>480,000 IOPS
- შეუფერხებელი მუშაობა (MTBF): 1 500 000
- S.M.A.R.T
- AES კოდირება: 256-bit
- დარტყმა-მედეგი: 1500 G
ფიზიკური მახასიათებლები:
- ზომა: 80.15 x 22.15 x 2.38 მმ














